Name: G2R1000MT33J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT33J-TR-ND
Price: 26.352 EUR
Availability: InStock

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G2R1000MT33J-TR
Codice DigiKey	1913-G2R1000MT33J-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1913-G2R1000MT33J-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1913-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore	G2R1000MT33J-TR
Descrizione	3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 3300 V 5 A (Tc) 74W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 2A, 20V
Produttore Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) max a Id 3,5V a 2mA
Serie LoRing™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 20 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +20V, -5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 238 pF @ 1000 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 3300 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA