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SQM120N10-09_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQM120N10-09_GE3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SQM120N10-09_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 180 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8645 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 9,5mohm a 30A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA130N10T | IXYS | 0 | IXFA130N10T-ND | € 2,68927 | Diretto |
| BUK7610-100B,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-5249-2-ND | € 0,00000 | Simile |
| IXFA130N10T2 | IXYS | 983 | 238-IXFA130N10T2-ND | € 6,40000 | Simile |
| PSMN009-100B,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-5268-2-ND | € 0,00000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 1,46853 | € 1 174,82 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,46853 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,79161 |
