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Canale N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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SQM120N10-09_GE3

Codice DigiKey
SQM120N10-09_GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQM120N10-09_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,5mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
8645 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
SQM120
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 1,28056€ 1 024,45
1 600€ 1,21134€ 1 938,14
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,28056
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,56228