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AOD518 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1359-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AOD518 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 15 A (Ta), 54 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,6V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22.5 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 951 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 50W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD6670A | onsemi | 201 | FDD6670ACT-ND | € 1,50000 | Simile |
| FDD8876 | onsemi | 103 | FDD8876CT-ND | € 1,70000 | Simile |
| FDD8880 | onsemi | 1 842 | FDD8880CT-ND | € 1,09000 | Simile |
| IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 93 382 | IPD090N03LGATMA1CT-ND | € 0,95000 | Simile |
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | 20 684 | IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND | € 1,08000 | Simile |



