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FDD6670A | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDD6670ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD6670ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | FDD6670A |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 15 A (Ta), 66 A (Tc) 3,2W (Ta), 63W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 5 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1755 pF @ 15 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 3,2W (Ta), 63W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 15A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | 950 | 31-DMN3010LK3-13CT-ND | € 0,99000 | Simile |
| IPD075N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 6 624 | IPD075N03LGATMA1CT-ND | € 1,16000 | Simile |
| IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 91 302 | IPD090N03LGATMA1CT-ND | € 1,11000 | Simile |




