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Scheda tecnica
Canale N 30 V 40 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
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IPD40N03S4L08ATMA1

Codice DigiKey
IPD40N03S4L08ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPD40N03S4L08ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 40 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,3mohm a 40A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 13µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1520 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3-11
Contenitore/involucro
Codice componente base
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