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Canale N 100 V 8 A (Ta), 130 A (Tc) 2,1W (Ta), 500W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

AOB1100L

Codice DigiKey
785-1319-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AOB1100L
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 8 A (Ta), 130 A (Tc) 2,1W (Ta), 500W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3,8V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
100 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4833 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 500W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
11,7mohm a 20A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (13)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
BUK7613-100E,118Nexperia USA Inc.5 6811727-1087-1-ND€ 2,80000Simile
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