PSMN013-100BS,118 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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PSMN013-100BS,118
Codice DigiKey	1727-7104-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-7104-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-7104-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN013-100BS,118
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 68 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 59 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3195 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 68 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 13,9mohm a 15A, 10V	Codice componente base PSMN013

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Sostituti (12)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,80600

PSMN013-100BS,118