Name: NTB6410ANT4G
Brand: onsemi
SKU: NTB6410ANT4GOSTR-ND
Price: 4.5384 EUR
Availability: InStock

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NTB6410ANT4G
Codice DigiKey	NTB6410ANT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTB6410ANT4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTB6410ANT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTB6410ANT4G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 76 A (Tc) 188W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 120 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4500 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 76 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 76A, 10V	Codice componente base NTB6410

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In magazzino: 880

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 1,25700	€ 1 005,60
1 600	€ 1,18859	€ 1 901,74

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,72000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,53840

NTB6410ANT4G