Canale N 100 V 75 A (Tc) 310W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 100 V 75 A (Tc) 310W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263

HUF75645S3ST

Codice DigiKey
HUF75645S3STTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
HUF75645S3STCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
HUF75645S3STDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
HUF75645S3ST
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 75 A (Tc) 310W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
UltraFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
14mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
238 nC @ 20 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3790 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
310W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
HUF75645
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 1,25939€ 1 007,51
1 600€ 1,23406€ 1 974,50
Contenitore standard del produttore
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,47000€ 3,47
10€ 2,28500€ 22,85
100€ 1,61140€ 161,14
Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,58000€ 3,58
10€ 2,35600€ 23,56
100€ 1,66120€ 166,12
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,47000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,23340