Name: SUM110N10-09-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110N10-09-E3TR-ND
Price: 8.6986 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SUM110N10-09-E3
Codice DigiKey	SUM110N10-09-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUM110N10-09-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUM110N10-09-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUM110N10-09-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 110 A (Tc) 3,75W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	110 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	9,5mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6700 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,75W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	SUM110