Name: SUM110P06-07L-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110P06-07L-E3TR-ND
Price: 5.4168 EUR
Availability: InStock

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SUM110P06-07L-E3
Codice DigiKey	SUM110P06-07L-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUM110P06-07L-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUM110P06-07L-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUM110P06-07L-E3
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 110 A (Tc) 3,75W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SUM110P06-07L-E3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	110 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,9mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	345 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	11400 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,75W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	SUM110