Equivalente parametrico
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SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB12N60ET1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Sfuso | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 380mohm a 6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 58 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 937 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 147W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 0,82448 | € 659,58 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,82448 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,00587 |




