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SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB12N60ET1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 58 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Sfuso | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 937 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 147W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 380mohm a 6A, 10V |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R380C6ATMA1CT-ND | € 1,84000 | Simile |
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011KNJTLCT-ND | € 2,80000 | Simile |
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6015ANJTL-ND | € 2,69491 | Simile |
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6015FNJTLTR-ND | € 1,51722 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Sfuso
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 0,87693 | € 701,54 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,87693 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,06985 |
