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R6015ANJTL

Codice DigiKey
R6015ANJTL-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
R6015ANJTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 15 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
300mohm a 7,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
50 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1700 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTS
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 2,22295€ 2 222,95
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,22295
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,71200