IPB60R380C6ATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPB60R380C6ATMA1
Codice DigiKey	IPB60R380C6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB60R380C6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB60R380C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB60R380C6ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 10,6 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB60R380C6ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	380mohm a 3,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 320µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	700 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB60R380