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R8008ANJFRGTL
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R6015FNJTL

Codice DigiKey
846-R6015FNJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R6015FNJTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 15 A (Tc) 255W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6015FNJTL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
350mohm a 7,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1660 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
255W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTS
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
R6015
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,54186€ 1 541,86
2 000€ 1,53955€ 3 079,10
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,54186
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,88107