Equivalente parametrico
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SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4900DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 5,3A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 58mohm a 4,3A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 665pF a 15V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 3,1W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,3A | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4900DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 195 | SI4900DY-T1-E3CT-ND | € 1,62000 | Equivalente parametrico |
| AO4828 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1062-2-ND | € 0,20418 | Simile |
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | 4 288 | SH8K32GZETBCT-ND | € 2,08000 | Simile |
| STS4DNF60L | STMicroelectronics | 6 913 | 497-3226-1-ND | € 2,49000 | Simile |
| STS5DNF60L | STMicroelectronics | 1 364 | 497-15672-1-ND | € 1,51000 | Simile |






