SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix | Array FET, MOSFET

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SI4900DY-T1-E3
Codice DigiKey	SI4900DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4900DY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4900DY-T1-E3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 5,3A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4900DY-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 58mohm a 4,3A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 665pF a 15V
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 3,1W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,3A	Codice componente base SI4900

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Sostituti (9)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI9634DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND	€ 1,20000	Consigliato dal produttore
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Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,97640

SI4900DY-T1-E3