Name: XPQ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 4.026 EUR
Availability: InStock

Canale N 40 V 200 A (Ta) 230W (Tc) A montaggio superficiale L-TOGL™

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XPQ1R004PB,LXHQ
Codice DigiKey	264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-XPQ1R004PBLXHQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-XPQ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	XPQ1R004PB,LXHQ
Descrizione	40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 200 A (Ta) 230W (Tc) A montaggio superficiale L-TOGL™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 84 nC @ 10 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Serie U-MOSIX-H	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6890 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 175°C
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Ta)	Contenitore del fornitore L-TOGL™
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerBSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1mohm a 100A, 10V	Codice componente base XPQ1R004
Vgs(th) max a Id 3V a 500µA