Canale N 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
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Canale N 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
Motor Control in Electric Vehicles

STH180N10F3-2

Codice DigiKey
497-11216-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-11216-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-11216-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STH180N10F3-2
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STH180N10F3-2 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
STripFET™ III
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,5mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6665 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
315W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
H2PAK-2
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
STH180
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,56000€ 4,56
10€ 3,03300€ 30,33
100€ 2,16960€ 216,96
500€ 2,08574€ 1 042,87
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,70404€ 1 704,04
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,56000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,56320