Name: STH150N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14979-2-ND
Price: 4.4896 EUR
Availability: InStock

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STH150N10F7-2
Codice DigiKey	497-14979-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-14979-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-14979-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STH150N10F7-2
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 110 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STH150N10F7-2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 117 nC @ 10 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8115 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore H2PAK-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 110 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STH150
RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 55A, 10V