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STB36NM60ND | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-13861-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13861-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13861-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STB36NM60ND |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 29 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB36NM60ND Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 80.4 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±25V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2785 pF @ 50 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 14,5A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STH60N099DM9-2AG | STMicroelectronics | 516 | 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND | € 5,31000 | Consigliato dal produttore |
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3 220 | IPB60R099C6ATMA1CT-ND | € 5,81000 | Simile |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 129 | 448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND | € 7,21000 | Simile |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | 2 519 | IPB60R099CPATMA1CT-ND | € 6,69000 | Simile |
| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | 1 865 | IPB60R099P7ATMA1CT-ND | € 4,06000 | Simile |





