Canale N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
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Canale N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R099C6ATMA1

Codice DigiKey
IPB60R099C6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPB60R099C6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPB60R099C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB60R099C6ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB60R099C6ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ C6
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
37,9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
99mohm a 18,1A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 1,21mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
119 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2660 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
278W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IPB60R099
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 5,51000€ 5,51
10€ 3,69800€ 36,98
100€ 2,68150€ 268,15
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 2,19076€ 2 190,76
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 5,51000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 6,72220
Da usare conVedi tutto
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