


SIHB30N60E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB30N60E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB30N60E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 130 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2600 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 15A, 10V | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 6,12000 | € 6,12 |
| 50 | € 3,26800 | € 163,40 |
| 100 | € 2,99280 | € 299,28 |
| 500 | € 2,51102 | € 1 255,51 |
| 1 000 | € 2,35639 | € 2 356,39 |
| 2 000 | € 2,31598 | € 4 631,96 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 6,12000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 7,46640 |

