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SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB33N60E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB33N60E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3508 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 16,5A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3 220 | IPB60R099C6ATMA1CT-ND | € 5,81000 | Simile |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 129 | 448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND | € 7,21000 | Simile |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | 2 519 | IPB60R099CPATMA1CT-ND | € 6,69000 | Simile |
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | 2 682 | IPB60R125C6ATMA1CT-ND | € 4,87000 | Simile |
| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | 1 158 | IPB60R125CPATMA1CT-ND | € 5,05000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 6,20000 | € 6,20 |
| 10 | € 4,18300 | € 41,83 |
| 100 | € 3,03870 | € 303,87 |
| 500 | € 2,55106 | € 1 275,53 |
| 1 000 | € 2,39455 | € 2 394,55 |
| 2 000 | € 2,35848 | € 4 716,96 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 6,20000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 7,56400 |




