Name: NVD5117PLT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD5117PLT4G-VF01TR-ND
Price: 4.0626 EUR
Availability: InStock

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NVD5117PLT4G-VF01
Codice DigiKey	NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVD5117PLT4G-VF01
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 11 A (Ta), 61 A (Tc) 4,1W (Ta), 118W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 85 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4800 pF @ 25 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 4,1W (Ta), 118W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta), 61 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore DPAK
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 29A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA	Codice componente base NVD5117

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDD6670A	onsemi	151	FDD6670ACT-ND	€ 5,77000	Simile
FDD8647L	onsemi	142	FDD8647LCT-ND	€ 6,26000	Simile
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 1,02222	€ 2 555,55

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,06260

NVD5117PLT4G-VF01