FDD8647L onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDD8647L
Codice DigiKey	FDD8647LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD8647LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD8647LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD8647L
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 14 A (Ta), 42 A (Tc) 3,1W (Ta), 43W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD8647L Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1640 pF @ 20 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 43W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14 A (Ta), 42 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDD8647
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 13A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQD50N05-11L_GE3	Vishay Siliconix	10	SQD50N05-11L_GE3CT-ND	€ 2,23000	Simile
STD64N4F6AG	STMicroelectronics	3 204	497-16304-1-ND	€ 1,34000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT)

Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,00080

FDD8647L