Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 8.3692 EUR
Availability: InStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
Codice DigiKey	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMTSC1D6N10MCTXG
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 8-TDFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMTSC1D6N10MCTXG Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 106 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7630 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5,1W (Ta), 291W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-TDFNW (8,3x8,4)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35A (Ta), 267A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 90A, 10V	Codice componente base NTMTSC1
Vgs(th) max a Id 4V a 650µA