Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 7.6616 EUR
Availability: InStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
Codice DigiKey	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMTSC1D6N10MCTXG
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 8-TDFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMTSC1D6N10MCTXG Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	35A (Ta), 267A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	1,7mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 650µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7630 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5,1W (Ta), 291W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	8-TDFNW (8,3x8,4)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	NTMTSC1