Canale N 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 8-TDFNW (8,3x8,4)
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Canale N 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 8-TDFNW (8,3x8,4)
NTMTSC1D6N10MCTXG

NTMTSC1D6N10MCTXG

Codice DigiKey
488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
NTMTSC1D6N10MCTXG
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Tempi di consegna standard del produttore
45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 8-TDFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTMTSC1D6N10MCTXG Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 650µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7630 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5,1W (Ta), 291W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
8-TDFNW (8,3x8,4)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 6,95000€ 6,95
10€ 4,70400€ 47,04
100€ 3,43850€ 343,85
500€ 3,33710€ 1 668,55
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 2,72638€ 8 179,14
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 6,95000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 8,47900