Name: IAUCN10S7N021ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND
Price: 4.392 EUR
Availability: InStock

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IAUCN10S7N021ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN10S7N021ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN10S7N021ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN10S7N021ATMA1
Descrizione	MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 175A (Tj) 217W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-53
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUCN10S7N021ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,2V a 130µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 105 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7153 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 217W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 175A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7V, 10V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-53
RDSon (max) a Id, Vgs 2,1mohm a 88A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN