Name: ISC027N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC027N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 4.7214 EUR
Availability: InStock

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ISC027N10NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC027N10NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC027N10NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC027N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC027N10NM6ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 23A (Ta), 192A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISC027N10NM6ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	23A (Ta), 192A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	8V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,7mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,3V a 116µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	72.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5500 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 217W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8 FL
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	ISC027N