Name: NVMTS1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 8.2472 EUR
Availability: InStock

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NVMTS1D6N10MCTXG
Codice DigiKey	488-NVMTS1D6N10MCTXGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMTS1D6N10MCTXGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMTS1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMTS1D6N10MCTXG
Descrizione	PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
Tempi di consegna standard del produttore	31 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 291W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 106 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7630 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 291W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36A (Ta), 273A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore 8-DFNW (8,3x8,4)
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 90A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 4V a 650µA