Name: FDS6690A
Brand: onsemi
SKU: FDS6690ATR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

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FDS6690A
cms-digikey-product-number	FDS6690ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6690ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6690ADKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	FDS6690A
cms-description	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
cms-standard-lead-time	12 settimane
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canale N 30 V 11 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
cms-eda-cad-models	FDS6690A Modelli

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	12,5mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	16 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1205 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	FDS6690

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,28100

FDS6690A