Name: IRF8714TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8714TRPBFTR-ND
Price: 1.0004 EUR
Availability: InStock

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IRF8714TRPBF
Codice DigiKey	IRF8714TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF8714TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF8714TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF8714TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 14 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF8714TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,35V a 25µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1020 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRF8714
RDSon (max) a Id, Vgs 8,7mohm a 14A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)