Name: FDS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4435BZTR-ND
Price: 1.1346 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDS4435BZ
Codice DigiKey	FDS4435BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS4435BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS4435BZ
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 8,8 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDS4435BZ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 8,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1845 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	FDS4435