Name: FDS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4435BZTR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

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FDS4435BZ
Codice DigiKey	FDS4435BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS4435BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS4435BZ
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	36 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 8,8 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDS4435BZ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1845 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,8 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDS4435
RDSon (max) a Id, Vgs 20mohm a 8,8A, 10V