Name: SI4435DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4435DDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2566 EUR
Availability: InStock

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SI4435DDY-T1-GE3
Codice DigiKey	SI4435DDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4435DDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4435DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4435DDY-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 11,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4435DDY-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1350 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 5W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,4 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SI4435
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 9,1A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,03000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,25660

SI4435DDY-T1-GE3