SI9407BDY-T1-GE3
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SI4435DDY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4435DDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4435DDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4435DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI4435DDY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 11,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI4435DDY-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
24mohm a 9,1A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1350 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 21 585
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,98000€ 0,98
10€ 0,61100€ 6,11
100€ 0,40060€ 40,06
500€ 0,31028€ 155,14
1 000€ 0,28119€ 281,19
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,24970€ 624,25
5 000€ 0,23023€ 1 151,15
7 500€ 0,22031€ 1 652,33
12 500€ 0,20917€ 2 614,62
17 500€ 0,20513€ 3 589,78
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,98000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,19560