Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D0N12COSTR-ND
Price: 6.1488 EUR
Availability: InStock

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FDMS4D0N12C
Codice DigiKey	FDMS4D0N12COSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS4D0N12COSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS4D0N12COSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS4D0N12C
Descrizione	MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 18,5 A (Ta), 114 A (Tc) 2,7W (Ta), 106W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 370 A
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 82 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6460 pF @ 60 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,7W (Ta), 106W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18,5 A (Ta), 114 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDMS4
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 67A, 10V