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FDB3632-F085 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDB3632-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDB3632-F085 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 12 A (Ta) 310W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6000 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK768R1-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 4 084 | 1727-1062-1-ND | € 3,38000 | Diretto |
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1064-2-ND | € 1,10741 | Simile |
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | 2 421 | IRFS4410ZTRLPBFCT-ND | € 2,99000 | Simile |
| IXFA130N10T2 | IXYS | 983 | 238-IXFA130N10T2-ND | € 6,40000 | Simile |
| RSJ650N10TL | Rohm Semiconductor | 0 | RSJ650N10TLCT-ND | € 6,84000 | Simile |






