
FCH085N80-F155 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FCH085N80-F155-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FCH085N80-F155 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 46A TO247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 46 A (Tc) 446W (Tc) Foro passante TO-247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FCH085N80-F155 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 4,6mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 255 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10825 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 446W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore TO-247-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 23A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | 1 532 | 448-IPW60R070C6FKSA1-ND | € 9,60000 | Simile |
| SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor | 862 | SCT3060ALGC11-ND | € 14,07000 | Simile |
| SIHG33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 463 | 742-SIHG33N60EF-GE3-ND | € 7,25000 | Simile |
| SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 322 | SIHG40N60E-GE3-ND | € 7,36000 | Simile |
| SIHW47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW47N65E-GE3-ND | € 3,46427 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 15,58000 | € 15,58 |
| 30 | € 9,73800 | € 292,14 |
| 120 | € 8,91550 | € 1 069,86 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 15,58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 19,00760 |

