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Canale N 650 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Foro passante TO-247AD
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SIHW47N65E-GE3

Codice DigiKey
SIHW47N65E-GE3-ND
Produttore
Codice produttore
SIHW47N65E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Foro passante TO-247AD
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
273 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5682 pF @ 100 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
417W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-247AD
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
72mohm a 24A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FCH072N60Fonsemi41 649FCH072N60F-ND€ 8,85000Simile
IPW60R080P7XKSA1Infineon Technologies10 080448-IPW60R080P7XKSA1-ND€ 5,60000Simile
IXFR80N60P3IXYS0IXFR80N60P3-ND€ 15,48117Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
480€ 3,43679€ 1 649,66
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,43679
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,19288