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SIHG40N60E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHG40N60E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHG40N60E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 40 A (Tc) 329W (Tc) Foro passante TO-247AC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 197 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4436 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 329W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-247AC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 20A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH077N65F-F155 | onsemi | 17 | FCH077N65F-F155-ND | € 9,37000 | Simile |
| IXFX64N60P | IXYS | 759 | IXFX64N60P-ND | € 23,72000 | Simile |
| TK31N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK31N60WS1VF-ND | € 10,83000 | Simile |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | € 13,20000 | Simile |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | € 10,42000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 7,30000 | € 7,30 |
| 25 | € 4,34680 | € 108,67 |
| 100 | € 3,64300 | € 364,30 |
| 500 | € 3,08028 | € 1 540,14 |
| 1 000 | € 2,92684 | € 2 926,84 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 7,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 8,90600 |






