Name: PSMN4R8-100BSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1103-2-ND
Price: 6.4416 EUR
Availability: InStock

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PSMN4R8-100BSEJ
Codice DigiKey	1727-1103-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-1103-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-1103-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN4R8-100BSEJ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tj) 405W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN4R8-100BSEJ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,8mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	278 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	14400 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	405W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	PSMN4R8