Name: PSMN3R7-100BSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN3R7-100BSEJTR-ND
Price: 5.8316 EUR
Availability: InStock

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PSMN3R7-100BSEJ
Codice DigiKey	1727-PSMN3R7-100BSEJTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN3R7-100BSEJCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN3R7-100BSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN3R7-100BSEJ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 405W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN3R7-100BSEJ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 246 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 16370 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 405W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 3,95mohm a 25A, 10V	Codice componente base PSMN3R7