Canale N 80 V 120 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
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Canale N 80 V 120 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB120N08S404ATMA1

Codice DigiKey
448-IPB120N08S404ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPB120N08S404ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPB120N08S404ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPB120N08S404ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 120 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB120N08S404ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,1mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 120µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6450 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
179W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,67836€ 1 678,36
2 000€ 1,58036€ 3 160,72
5 000€ 1,51619€ 7 580,95
Contenitore standard del produttore
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,05000€ 4,05
10€ 2,68600€ 26,86
100€ 1,91090€ 191,09
500€ 1,58032€ 790,16
Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,18000€ 4,18
10€ 2,76900€ 27,69
100€ 1,97000€ 197,00
500€ 1,62920€ 814,60
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,94100