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FDI3632 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
FDI3632 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDI3632FS-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FDI3632 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 12 A (Ta), 80 A (Tc) 310W (Tc) Foro passante TO-262 (I2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6000 pF @ 25 V |
Confezionamento Tubo | Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-262 (I2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB288L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOB288L-ND | € 0,83243 | Simile |
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1064-2-ND | € 1,10741 | Simile |
| IPI076N12N3GAKSA1 | Infineon Technologies | 66 | IPI076N12N3GAKSA1-ND | € 3,88000 | Simile |
| IPI086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 28 | IPI086N10N3GXKSA1-ND | € 2,41000 | Simile |
| SUM70090E-GE3 | Vishay Siliconix | 4 533 | SUM70090E-GE3CT-ND | € 2,17000 | Simile |
Obsoleto
Non annullabile/Non restituibile
