SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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SPB80N06S08ATMA1
Codice DigiKey	448-SPB80N06S08ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPB80N06S08ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,7mohm a 80A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 240µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	187 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3660 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	SPB80N