Name: IRF1010NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010NSTRLPBFTR-ND
Price: 2.806 EUR
Availability: InStock

IRF1010NSTRLPBF
Codice DigiKey	IRF1010NSTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF1010NSTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF1010NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF1010NSTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 85 A (Tc) 180W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	85 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11mohm a 43A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3210 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRF1010

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,80600

IRF1010NSTRLPBF