Name: IRF3808STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3808STRLPBFTR-ND
Price: 4.4286 EUR
Availability: InStock

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IRF3808STRLPBF
Codice DigiKey	IRF3808STRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF3808STRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF3808STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF3808STRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 106 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF3808STRLPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 220 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5310 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 106 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF3808
RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 82A, 10V