IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRFR540ZTRPBF
Codice DigiKey	448-IRFR540ZTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRFR540ZTRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRFR540ZTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFR540ZTRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 35 A (Tc) 91W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 50µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 59 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1690 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 91W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFR540
RDSon (max) a Id, Vgs 28,5mohm a 21A, 10V

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPD30N10S3L34ATMA1	Infineon Technologies	18 958	IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND	€ 1,80000	Simile
DMNH10H028SK3-13	Diodes Incorporated	0	DMNH10H028SK3-13DITR-ND	€ 0,63728	Simile
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