Name: FDD3670
Brand: onsemi
SKU: FDD3670TR-ND
Price: 2.6596 EUR
Availability: InStock

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FDD3670
Codice DigiKey	FDD3670TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD3670CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD3670DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD3670
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 34 A (Ta) 3,8W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2490 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 34 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDD367
RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 7,3A, 10V

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BUK7240-100A,118	Nexperia USA Inc.	412	1727-7158-1-ND	€ 1,89000	Simile
IPD30N10S3L34ATMA1	Infineon Technologies	18 968	IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND	€ 1,80000	Simile
STD25N10F7	STMicroelectronics	2 734	497-14530-1-ND	€ 1,33000	Simile
STD25NF10LT4	STMicroelectronics	7 889	497-3156-1-ND	€ 2,73000	Simile
STD25NF10T4	STMicroelectronics	3 931	497-7962-1-ND	€ 1,60000	Simile