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Canale N 100 V 55 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
TO-252-3

DMNH10H028SK3-13

Codice DigiKey
DMNH10H028SK3-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMNH10H028SK3-13
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 55 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3,3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
36 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2245 pF @ 50 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
28mohm a 20A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (9)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,63728€ 1 593,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,63728
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,77748