Name: IPT017N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 5.429 EUR
Availability: InStock

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IPT017N10NF2SATMA1
Codice DigiKey	448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT017N10NF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT017N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT017N10NF2SATMA1
Descrizione	MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-10
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT017N10NF2SATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 216µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 195 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™ 2	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9300 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-10
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33A (Ta), 294A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPT017
RDSon (max) a Id, Vgs 1,75mohm a 150A, 10V